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Tamanho do mercado de substratos de nitreto de gálio no valor de US $ 588,7 milhões até 2030: IndustryARC
Estima-se que o tamanhodo mercado de substratos de nitreto de gálio atinja US $ 588,7 milhões até 2030, crescendo a um CAGR de 9,8% durante o período de previsão de 2024-2030.A crescente demanda por substratos GaN da indústria automotiva de LED, a crescente demanda por substratos de banda larga e a crescente necessidade de dispositivos de energia baseados em GaN estão impulsionando a demanda por substratos de nitreto de gálio dos usuários finais, encontra IndustryARC em seu relatório recente, intitulado "Tamanho do mercado de substratos de nitreto de gálio, participação & Relatório de análise de tendências - por tipo (GaN em safira, GaN em Si, GaN em SiC, GaN em GaN), por tamanho (2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas), por produto de uso final (laser, Diodos emissores de luz (LEDs), dispositivos de eletrónica de potência, dispositivos electrónicos de alta frequência, outros), por aplicação (servidores e centros de dados, LiDAR, aplicações de carregamento sem fios, fonte de alimentação, fonte de alimentação ininterrupta (UPS), outros), por indústria de utilização final (automóvel, cuidados de saúde, eletrónica de consumo, defesa, armazenamento ótico, telecomunicações, comunicação por satélite, outros), por geografia - análise global de oportunidades & Previsão da indústria, 2024-2030''
Solicitar amostra do relatório de pesquisa: https://www.industryarc.com/pdfdownload.php?id=1264
Ásia-Pacífico registará o maior crescimento:
Geograficamente, na participação de mercado de Substratos de Nitreto de Gálio, a Ásia-Pacífico é analisada para crescer com o CAGR mais alto de 10,6% durante o período de previsão de 2024-2030. Japão, China e Coréia são os países líderes na região APAC, contribuindo com mais de 80% da produção. Além disso, 90% da produção de substrato GaN em massa é de jogadores na região da Ásia-Pacífico, e o Japão é o principal fornecedor. Além disso, o investimento em tecnologia 5G na região também impulsiona o Mercado de Substratos de Nitreto de Gálio. Por exemplo, de acordo com o Departamento de Serviços de Informação do Yuan Executivo, de 2021 a 2025, o governo de Taiwan investirá US $ 1,8 bilhão adicionais no âmbito do Programa de Desenvolvimento de Infraestrutura Prospetiva para ajudar a indústria a acelerar e expandir os esforços para promover o estabelecimento de infraestrutura 5G em todo o país.
Mercado de substratos de nitreto de gálio 2023-2030: escopo do relatório
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Métrica do relatório |
Detalhes |
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Ano base considerado |
2023 |
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Período de previsão |
2024-2030 |
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CAGR |
9.8% |
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Dimensão do mercado em 2030 |
588,7 mil milhões de dólares |
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Segmentos abrangidos |
Tamanho, tipo, produto de uso final, aplicação, indústria de uso final e região |
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Geografias abrangidas |
América do Norte (EUA, Canadá e México), Europa (Alemanha, França, Reino Unido, Itália, Espanha, Rússia e Resto da Europa), Ásia-Pacífico (China, Japão, Coreia do Sul, Índia, Austrália e Resto da Ásia-Pacífico), América do Sul (Brasil, Argentina e Resto da América do Sul), Resto do Mundo (Médio Oriente e África). |
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Principais intervenientes no mercado |
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Obter acesso ao relatório de pesquisa completo: https://www.industryarc.com/Report/1264/GaN-substrates-market-research-report.html
Relatório de mercado de substratos de nitreto de gálio - principais conclusões:
Demanda crescente do setor sem fio 5G
Os dispositivos de RF baseados em GaN oferecem maior densidade de potência, largura de banda mais ampla e temperaturas operacionais mais baixas em comparação com os dispositivos de RF convencionais baseados em silício, tornando-os adequados para estações base 5G, amplificadores de RF e antenas de phased array. À medida que a implantação de redes 5G se acelera em todo o mundo, há uma demanda crescente por substratos GaN para apoiar a expansão de redes de comunicação sem fio de alta velocidade e baixa latência e permitir o desenvolvimento de dispositivos e aplicativos avançados habilitados para 5G.
Avanços na tecnologia GaN sobre silício
Os substratos de GaN sobre silício combinam as propriedades eléctricas superiores do GaN com a rentabilidade e a escalabilidade dos processos de fabrico de bolachas de silício, permitindo a produção de substratos de GaN de grande área a um custo inferior. Esta tendência está a impulsionar o desenvolvimento de dispositivos de potência, componentes RF e dispositivos optoelectrónicos baseados em GaN para várias aplicações, incluindo a eletrónica automóvel, aeroespacial, industrial e de consumo. Além disso, os avanços nas técnicas de crescimento epitaxial, na engenharia de substratos e nas tecnologias de ligação de bolachas estão a melhorar ainda mais o desempenho e a capacidade de fabrico dos substratos de GaN sobre silício, expandindo as suas potenciais aplicações e oportunidades de mercado.
Foco em substratos de elevada pureza e sem defeitos
O desempenho dos dispositivos baseados em GaN é altamente sensível à qualidade do substrato, incluindo defeitos cristalográficos, impurezas e rugosidade da superfície. Por conseguinte, há uma procura crescente de substratos de GaN de alta qualidade com baixas densidades de deslocação, elevada perfeição cristalina e morfologia de superfície uniforme. Os fabricantes de semicondutores e os fornecedores de substratos estão a investir em técnicas avançadas de crescimento de cristais, em processos de polimento de substratos e em medidas de controlo de qualidade para produzir substratos de GaN de elevada pureza que satisfaçam os rigorosos requisitos de desempenho da eletrónica de potência, das aplicações de RF e dos dispositivos optoelectrónicos.
Tamanho limitado do substrato e problemas de qualidade
Os substratos de GaN são normalmente cultivados em bolachas de pequeno diâmetro, como os substratos de 2 ou 4 polegadas, o que limita o tamanho e a escalabilidade do fabrico de dispositivos baseados em GaN. Além disso, a qualidade dos cristais dos substratos de GaN, incluindo as densidades dos defeitos, as deslocações e a rugosidade da superfície, pode ter impacto no desempenho e na fiabilidade dos dispositivos baseados em GaN. Apesar dos esforços para melhorar a qualidade dos substratos através de técnicas avançadas de crescimento e de engenharia de substratos, continuam a existir desafios na obtenção de substratos de GaN de grande área e de alta qualidade que satisfaçam os requisitos rigorosos de aplicações emergentes como o sector automóvel, as telecomunicações e as energias renováveis.
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Análise das principais oportunidades:
Novas aplicações de eletrónica de potência
Os substratos de GaN oferecem propriedades eléctricas e térmicas superiores em comparação com os substratos de silício tradicionais, tornando-os ideais para dispositivos electrónicos de alta frequência e alta potência, como conversores de potência, amplificadores de RF e controladores de LED. À medida que a procura de sistemas electrónicos mais compactos e eficientes em termos energéticos cresce em vários sectores, como o automóvel, o industrial, o das telecomunicações e o das energias renováveis, há um interesse crescente em dispositivos de potência baseados em GaN para aplicações como veículos eléctricos, inversores solares, sistemas de carregamento sem fios e centros de dados. Esta tendência apresenta oportunidades para os fabricantes de semicondutores, fornecedores de substratos e integradores de dispositivos capitalizarem a procura crescente de substratos de GaN e desenvolverem soluções inovadoras baseadas em GaN que respondam às necessidades em evolução do mercado da eletrónica de potência.
Oportunidades emergentes na eletrónica automóvel
Com o aumento da eletrificação e da autonomia dos veículos, há uma procura crescente de sistemas electrónicos mais eficientes, fiáveis e compactos nas plataformas automóveis. Os substratos de GaN oferecem vantagens como maior densidade de potência, velocidades de comutação mais rápidas e melhor desempenho térmico, o que os torna adequados para utilização em transmissões eléctricas, carregadores de bordo, sistemas de gestão de energia e sistemas avançados de assistência ao condutor (ADAS). Dado que os fabricantes e fornecedores do sector automóvel procuram melhorar o desempenho, a eficiência e a segurança dos veículos, reduzindo simultaneamente as emissões e a pegada de carbono, existe um interesse crescente em soluções baseadas em GaN para a eletrónica automóvel.
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O relatório também abrange as seguintes áreas:
- Tamanho e previsão do mercado de substratos de nitreto de gálio
- Tendências do mercado de substratos de nitreto de gálio
- Análise de mercado de substratos de nitreto de gálio por tipo
Mercado de substratos de nitreto de gálio2023-2030: principais destaques
- CAGR do mercado durante o período de previsão 2024-2030
- Análise da cadeia de valor das principais partes interessadas
- Análise detalhada dos drivers de mercado e oportunidades durante o período de previsão
- Substratos de nitreto de gálio Estimativa e previsão do tamanho do mercado
- Análise e previsões sobre o comportamento dos utilizadores finais e as tendências futuras
- Análise do panorama competitivo e do mercado de fornecedores, incluindo ofertas, desenvolvimentos e dados financeiros
- Análise abrangente de desafios e restrições no mercado de substratos de nitreto de gálio
Impacto da crise da Covid e da Ucrânia:
A pandemia COVID-19 aumentou a demanda por substratos de nitrato de gálio. Devido a bloqueios e novas ondas de infeção, houve uma alta demanda por dispositivos médicos, bem como eletrônicos de consumo. Em 2020, o Governo da Índia investiu 33,87 milhões de dólares no Projeto do Parque de Dispositivos Médicos de Sultanpur, Telangana, para o desenvolvimento de dispositivos médicos, 27,09 milhões de dólares no projeto de modernização da Fábrica Médica de Palghar, 68 milhões de dólares no projeto de cluster de dispositivos médicos e 136 milhões de dólares no fabrico de equipamento médico.
A Ucrânia e a Rússia estão entre os maiores produtores de gálio, de acordo com o U.S. Geological Survey. No entanto, devido à crise na Ucrânia, haverá uma escassez no fornecimento destas matérias-primas, o que terá impacto na produção de substratos de GaN. Esta incerteza também contribuiu para as flutuações de preços, afectando os fabricantes de substratos de nitreto de gálio no meio de uma situação geopolítica complexa.
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Lista dos principais participantes do mercado de substratos de nitreto de gálio:
As principais empresas com perfil no Relatório de Mercado de Substratos de Nitreto de Gálio estão listadas abaixo:
- Kyocera Corporation
- Mitsubishi Chemical Corporation
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Saint Gobain (IVWorks)
- Pam Xiamen
- Toshiba Corporation
- Soitec
- GaN Systems Inc.
- Cree
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