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Análise de Mercado de Semicondutores de Energia de Próxima Geração por Material do Produto, Dispositivo e Aplicação | Fuji Electric, STMicroelectronics
Insights do mercado de semicondutores de energia de última geração
Espera-se que o mercado de semicondutores de energia de próxima geração tenha revitalizado o crescimento ao longo do período de previsão, que termina em 2030. Os semicondutores de potência modernos também atendem pelo nome de Wide Band Gap Semiconductors por causa de seu orifício de banda maior. Os orifícios de banda para GaN, SiC e GaN são 1.1, 3.3 e 3.4, respectivamente.
Os semicondutores GaN e SiC podem ser usados no lugar dos semicondutores convencionais de Si (silício) para criar um dispositivo mais compacto e altamente eficaz. Os semicondutores de potência modernos trouxeram novas possibilidades para o avanço do hardware eletrônico.
O próximo volume de mercado de semicondutores de potência a base e o coração da inovação de dados são microeletrônica combinada e dispositivos de força.
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A necessidade de cabos foi eliminada nesse ponto, permitindo a comunicação com pessoas em qualquer lugar do mundo. Com suas características mais extensas, como qualidades surpreendentes de corrente-tensão com baixo aumento de tensão, mínimo azar de troca, sem fluxos de cauda e além de dispositivos leves, um semicondutor de força tem a vantagem crítica de atingir os objetivos.
O impacto da pandemia de Coronavírus na renda comercial de pioneiros do mercado, devotos do mercado e disruptores foi examinado na pesquisa do relatório Next-Generation Power Semiconductors Market Share, e isso está representado em nossa pesquisa.
Os estudos discutem avanços significativos no mercado de semicondutores de potência de ponta, bem como estratégias de desenvolvimento orgânico e inorgânico. Muitas empresas se concentram em processos de desenvolvimento orgânico, como remessas de produtos, endossos de produtos e outros, como licenças e eventos.
Aquisições, organização e esforços colaborativos foram observados na indústria como parte das atividades de crescimento do mercado de semicondutores de energia de próxima geração. Esses exercícios possibilitaram que os participantes do mercado expandissem sua clientela e negócios.
Números chave do mercado de semicondutores de energia de última geração:
- Fuji Electric (Japão),
- Semikron (EUA),
- Vishay Intertechnology (EUA),
- Infineon Technologies (Alemanha),
- STMicroelectronics (Suíça),
- Mitsubishi Motors (Japão),
- Toshiba (Japão),
- Fairchild (EUA),
- NXP Semiconductors (Holanda), e
- Renesas Electronics (Japão)
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Avaliação Regional do Mercado de Semicondutores de Energia de Próxima Geração
De acordo com a demanda por semicondutores de energia de próxima geração, a América do Norte é a região dominante do mercado, representando 5,20% do mercado global em 2015 e avaliada em US $ 23,45 milhões.
O principal elemento que impulsiona o mercado na América do Norte é o apelo da indústria automobilística.
Com um CAGR de 5,20%, a Ásia-Pacífico emergiu como a indústria de crescimento mais rápido, avaliada em $XX milhões em 2015. Estima-se que a Ásia-Pacífico dominará o mercado antes do final do período previsto. A Europa continua a ser o terceiro maior mercado, contribuindo com 5,20% do total da indústria, avaliada em USD 23,45 milhões.
Mercado de Semicondutores de Energia de Próxima Geração:
Dependendo do usuário final, da aplicação, do tamanho do wafer e do dispositivo, o mercado global de semicondutores de potência SiC foi segmentado.
O mercado de semicondutores de potência de ponta é segmentado em GaN, SiC e Outros com base no tipo.
Diodo, MOSFET/IPD e IGBT/Divisão de módulos de potência por dispositivo
O mercado de semicondutores de potência de ponta é dividido em muitos segmentos com base em seus usos pretendidos: iluminação LED, casas inteligentes, veículos híbridos e elétricos, energia renovável e outros.
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Ele fornece tamanho de mercado e projeções de receita para cinco regiões-chave – América do Norte, Europa, Ásia-Pacífico (APAC), Oriente Médio e África (MEA) e América do Sul e Central – de 2023 a 2030.
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