Tamanho do mercado de RF GaN atingirá US$ 5,2 bilhões até 2030 | Análise por tipo, aplicativo e região

Insights do mercado de RF GaN

De acordo com a análise MRFR, espera-se que o mercado global de RF GaN registre um CAGR de ~ 31% de 2021 a 2030 e mantenha um valor de mais de ~ US $ 5,2 bilhões até 2030.

Os transistores GaN estão encontrando seu caminho para aplicações de rádio devido às suas características de frequência superiores. Para aumentar a produtividade e ampliar a largura de banda para atender à taxa de transmissão de dados em constante crescimento, o RF GaN é vital para a infraestrutura sem fio. Espera-se que o mercado de RF GaN seja significativamente influenciado pelo aumento do uso da tecnologia 5G e melhorias na comunicação sem fio. Os transistores de energia GaN estão se tornando mais amplamente utilizados, o que também pode ser vantajoso para os fornecedores de telecomunicações. Devido a um aumento nos investimentos significativos em tecnologias GaN, o mercado de RF GaN tem visto um crescimento substancial em várias indústrias. O GaN permite frequências mais altas em aplicações mais sofisticadas, contando radares, matrizes faseadas, estações transceptoras de base para TV a cabo (CATV) e comunicações de defesa, graças aos avanços contínuos na tecnologia de nitreto de gálio (GaN).

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Principais Players

Alguns dos principais intervenientes no mercado são-

• NXP Semiconductors NV (Holanda)
• STMicroelectronics NV (Suíça)
• Aethercomm Inc. (EUA)
• ROHM Semiconductors (Japão)
• Analog Devices Inc. (EUA)
• Toshiba Corporation (Japão)
• Cree Inc. (EUA)

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Análise Regional

A Ásia-Pacífico dominou o mercado e projeta-se que registre um CAGR de 19,3% durante o período estimado. China, Japão, Taiwan e Coreia do Sul representam cerca de 66% do mercado global de semicondutores distintos. Em aplicações militares, devido ao aumento dos sistemas de T / R no radar aéreo, os dispositivos GaN estão substituindo os volumosos sistemas baseados em tubo de onda de viagem (TWT), confirmando que a defesa continuará entre os principais impulsionadores do mercado de GaN.

A América do Norte é a segunda maior região. Projeta-se que atinja um valor previsto de US $ 451 milhões até 2030, registrando um CAGR de 18% durante o período estimado. As pessoas que fabricam, projetam e treinam semicondutores na América do Norte estão entre as primeiras a usar novas tecnologias. O desenvolvimento do mercado de RF GaN na América do Norte está fortemente ligado ao crescimento de setores de usuários finais, como telecomunicações, aeroespacial, defesa e outros. A estratégia do governo provavelmente vai elevar a expansão do mercado

A Europa é a terceira maior região. A região europeia é o lar de alguns centros tecnológicos vitais em todo o mundo e um impulsionador substancial e adotante da tecnologia moderna. O mercado está se expandindo por causa do uso aumentado de tecnologias modernas e semicondutores em vários setores regionais.

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Segmentação de Mercado

O mercado global de RF GaN foi segmentado em tipo e aplicação.

Com base no tipo, o mercado global de RF GaN foi segmentado em Gan em Sic, Gan em silício e Gan em demanda

Com base na aplicação, o mercado global de RF GaN foi segmentado em infraestrutura sem fio 5G, aeroespacial e militar e de defesa, outros

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