Estudo de Pesquisa de Mercado de Dispositivos de RF GaN, Receita de Vendas, Principais Players, Fatores de Crescimento, Tendências e Previsão 2030 | O aumento da demanda por TI e telecomunicações

A América do Norte emergiu para ser o mercado de crescimento mais rápido para RF GaN durante o período de revisão

A América do Norte foi ainda mais segmentada nos EUA, Canadá e México. A América do Norte é responsável por uma das maiores quotas de mercado no mercado de RF GAN devido à presença de notáveis empresas de RF GaN. Os principais players da RF GaN trabalham na tecnologia há mais de 15 anos e acumularam um corpo considerável de conhecimento, habilidade e competência. Mas o mais importante, eles desenvolveram um sentimento quase fervoroso de fé no potencial de longo prazo da tecnologia. O valor de mercado é ainda maior pela demanda significativa das indústrias de defesa e militar, bem como pelas tendências modernas de RF GaN provocadas pela implantação generalizada de carros elétricos e redes celulares 5G na região. Prevê-se que o mercado norte-americano de RF GaN continuará a dominar durante o período de avaliação. Além disso, a crescente necessidade de largura de banda adicional da indústria de dispositivos eletrônicos impulsiona o crescimento do mercado de RF GaN.

A Europa foi segmentada em quatro países: Reino Unido, Alemanha, França, Itália e o resto da Europa. Alguns dos fatores responsáveis pelo crescimento do mercado incluem o aumento da demanda por equipamentos de TI e telecomunicações e a adoção de aplicações de energia e energia. Até 2040 ou antes, todos os automóveis estarão livres de emissões em vários países da União Europeia, incluindo o Reino Unido (qualidade do ar). Neste caso, o impulso para o desenvolvimento de carros autônomos e drones, juntamente com as provisões de infraestrutura necessárias, apoia ainda mais a demanda por tecnologia RF GaN. À medida que as necessidades energéticas das suas populações individuais aumentam, os países europeus estão a aumentar os seus mandatos para a eficiência das energias renováveis. Isso se aplica tanto à geração quanto ao armazenamento de energia ecológica (fazendas de baterias). O investimento significativo do governo em orçamentos de pesquisa locais e independentes está sendo impulsionado por preocupações de prestígio nacional, defesa, tecnologia e segurança, a fim de avançar a dimensão ultratecnológica das tecnologias RF GaN (e outras). Nos últimos anos, os dispositivos RF GaN tornaram-se muito mais amplamente utilizados. Tem sido utilizado principalmente para defesa e infraestrutura. Futuros desenvolvimentos geopolíticos terão um impacto significativo no mercado de RF GaN. Por exemplo, uma empresa que se envolve em operações de cooperação, a Macom e a European STMicroelectronics fizeram uma parceria para fornecer a tecnologia para OEMs de telecomunicações.

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A Ásia-Pacífico foi ainda mais segmentada em China, Japão, Índia, Coreia do Sul, Resto da Ásia-Pacífico. A APAC é outro mercado promissor para o RF GaN. A implantação de redes 5G em várias regiões da região, bem como o uso de dispositivos RF GaN em carros elétricos, estão impulsionando a expansão do mercado. A área é um centro de tecnologia automotiva, aeroespacial e de semicondutores. Devido à rápida expansão dos mercados de eletrônicos energeticamente eficientes, a China, a Índia e o Japão respondem por grandes participações na área. A Innoscience da China é um exemplo. O fabricante de dispositivos integrados atualmente tem uma capacidade de 4.000 wafers por mês com sua fábrica de 8 polegadas de GaN sobre silício, mas planeja aumentar significativamente esse número para cerca de 65.000 wafers por mês assim que sua nova instalação em Suzhou for concluída - mais um sinal de que o mercado de GaN de energia só vai crescer.

Principais Players

Alguns dos principais players que operam no mercado global de RF GaN incluem NXP Semiconductors (Holanda), Analog Devices, Inc. (EUA), ST Microelectronics NV (Suíça), Toshiba Corporation (Japão), ROHM Company Ltd (Japão), Wolfspeed, Inc. (EUA), Aethercomm Inc. (EUA), Microchip Technology (EUA), Raytheon Company (EUA), Qorvo, Inc. (EUA), Mitsubishi Electric Corporation (Japão), RFHIC Corporation (Coreia do Sul), Mercury System Inc (EUA), Sumitomo Indústrias Elétricas

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Escopo do relatório:

  2020-2030

  Cobertura de relatórios

  Previsão de receita, cenário competitivo, fatores de crescimento e tendências

Análise de Impacto Covid

Como a maioria das indústrias, a indústria de semicondutores também foi afetada pela pandemia de COVID-19. O impacto da pandemia na indústria de semicondutores foi caracterizado principalmente pela mudança de comportamento do cliente, mudanças nas operações corporativas e declínio das receitas de negócios. A pandemia impactou tanto o lado da oferta quanto o da demanda. Do lado da oferta, a pandemia expôs riscos anteriormente não reconhecidos, devido aos quais a escassez de componentes críticos foi sentida em países fortemente dependentes de fornecedores para suas necessidades de semicondutores. A maioria das empresas de semicondutores tentou reestruturar suas cadeias de suprimentos, aumentar seu estoque e fazer outras mudanças necessárias para lidar com a escassez de componentes críticos.

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Segmentação de mercado RF GaN

O mercado global de RF GaN foi segmentado com base no tipo, aplicação e região.

O mercado global de RF GaN, com base no tipo, foi segmentado em GaN em Sic, GaN em silício e GaN em demanda.

O mercado global de RF GaN, baseado em Aplicação, foi segmentado em Infraestrutura Sem Fio 5G, Aeroespacial, Militar e de Defesa e Outros.

O mercado global de RF GaN com base na região foi segmentado na  América do Norte, Europa, Ásia-Pacífico, Oriente Médio e África e América do Sul.

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