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Previsão do mercado de transistores bipolares de portão isolado atingirá US$ 11 bilhões até 2025

Apr 2, 2021 7:36 AM ET

O Mercado de Transistores Bipolar de Portão Isolado deve atingir US$ 11 bilhões até 2025, crescendo a um CAGR de 8% no período 2019-2025. O IGBT vem testemunhando um crescimento significativo no setor automotivo, devido à adoção de veículos elétricos. A redução do custo do veículo elétrico devido ao avanço tecnológico e à redução do preço da bateria aumentou a demanda por veículos elétricos desde 2016. A produção de veículos elétricos deverá aumentar 28% durante 2018-2022, o que representará a venda de 14,8 milhões de veículos elétricos até 2020.

Análise do segmento de mercado do transistor bipolar de portão isolado - Por aplicação

Estima-se que o setor automotivo cresça a um CAGR de 13% durante o período de previsão 2019-2025. De acordo com dados da AIE de 2019, as vendas de novos carros elétricos testemunharam um aumento de 203 mil unidades em 2013 para 1.872 mil unidades em 2018 devido ao qual o mercado de IGBT está crescendo a uma velocidade surpreendente. A adoção do EV tem aumentado tremendamente devido às regulamentações governamentais para a condução controlada de emissões, juntamente com características econômicas que a EV oferece em comparação com veículos a diesel e gasolina. Da mesma forma, o governo em muitos países está tomando várias iniciativas para promover veículos elétricos. Por exemplo, em 2019, o governo indiano prepara proposta para acelerar o uso de veículos elétricos por meio de subsídios.

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Preço do relatório: $ 4500 (Licença de Usuário Único)

Análise do segmento de mercado do transistor bipolar de portão isolado - Por Geografia

O mercado de IGBT da APAC é analisado para testemunhar a maior taxa de crescimento durante 2019-2025. O mercado de IGBT nesta região é impulsionado principalmente pelo aumento da produção de veículos elétricos. Em 2018, a produção de veículos elétricos na região cresceu 75% em relação a 2016. Governos de países como Índia, China e Japão estão promovendo veículos elétricos através de vários programas. Por exemplo, em 2019, o governo da China está em planos para introduzir um sistema de crédito, no qual as montadoras são obrigadas a ganhar créditos sobre a produção de EV, se quiserem fabricar veículos convencionais. O aumento da produção dos EVs no país aumentará o uso do IGBT e terá um impacto positivo no mercado. Além disso, o aumento do número de startups que desenvolvem novas tecnologias para melhorar o desempenho da bateria e focar nas soluções de carregamento aumentará a demanda por IGBT nesta região. Além disso, os avanços tecnológicos que acontecem na eletrônica de consumo onde o uso de IGBT é visto em diferentes aplicações, como em inversores e UPS, impulsionariam o mercado de IGBT nessa região. Por exemplo, o mercado de eletrônicos de consumo na China provavelmente testemunhará um crescimento entre 10%-15% durante 2019-2025. Esse crescimento provavelmente trará uma nova oportunidade para o mercado IGBT na China.

Drivers de mercado de transistores bipolares de portão isolado

Aumento da produção de veículos elétricos devido a normas rigorosas de emissão e melhor infraestrutura de carregamento:

A UE anunciou recentemente a implementação de um novo regulamento (UE) 2019/631, que se concentrou principalmente na redução da emissão de CO2 dos veículos. A implementação deste regulamento deverá impactar negativamente a produção de veículos movidos a combustível. Considerando isso, os fabricantes automotivos planejam aumentar a produção de EVs, o que aumentará gradualmente o uso de IGBTs. Da mesma forma, os investimentos crescentes e as iniciativas de criação de novos centros de carregamento pelos principais players, como charge Point, Electrify America e Volkswagen estão contribuindo significativamente para o crescimento do mercado de estações de carregamento de veículos elétricos. Em 2019, a Charge Point e a Electrify America fizeram uma parceria com um plano de investir US$ 2 bilhões para criar 30.000 estações de carregamento rápido Nível 2 e DC nos EUA. Em junho de 2019, a Volkswagen planejava instalar 484 estações de veículos elétricos com mais de 2.000 distribuidores de carregamento em todo os EUA.

Introdução de novo conceito de design no IGBT:

Vários fornecedores estão agora focando na introdução de novos designs para melhorar o desempenho do IGBT. Os novos conceitos de design chamados de stop e buried layer (BL) em IGBTs ajudarão a fornecer medidas eficazes para reduzir a perda de comutação em aplicações de energia. A combinação dessas tecnologias no processo de fabricação é esperada para melhorar ainda mais o desempenho dos IGBTs.

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Desafios do mercado de transistores bipolares de portão isolado

Utilização de SiC MOSFETs no lugar do IGBT em aplicativos de comutação de energia:

Como a demanda pelos inversores solares cresce cerca de 30% a cada ano, os fabricantes estão mudando para o uso do SiC MOSFET, que é considerado como uma alternativa para o IGBT. Prevê-se que o uso do SiC MOSFET em inversores solares reduza o custo do inversor e ajude a aumentar a eficiência dos inversores em 1%-2%. O aumento do uso do SiC MOSFET ajudará até a reduzir a perda de energia em 75%. Os fabricantes do SiC MOSFET estão planejando implementar tecnologia avançada no processo de fabricação que pode ajudar na redução do preço dos produtos.

Cenário de Mercado

O mercado IGBT é altamente fragmentado com a presença de um grande número de fornecedores regionais e globais. Os principais fornecedores estão oferecendo produtos personalizados para obter benefícios sobre os fabricantes locais. Os principais fornecedores estão entrando nas novas áreas de aplicação, como veículos elétricos, unidades e outros. Grandes players como ROHM e Renesas Electric Corporation estão focando na introdução dos novos produtos. A ROHM introduziu recentemente quatro novos IGBTs de grau automotivo 1200V, ideais para inversores usados em compressores eletrônicos, e para circuitos de comutação usados em aquecedores de coeficiente de temperatura positivo (PTC). Introdução de novos produtos de série automotiva pela ROHM, que são usados principalmente em inversores e outras aplicações que ajudam a aumentar a eficiência dos produtos e são esperados para mostrar um impacto positivo no faturamento da empresa. Os principais players do mercado IGBT são Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG, Fuji Electric Co. Ltd., ROHM Co. Ltd., SEMIKRON International GmbH, Mitsubishi Motors Corporation, Toshiba Corporation, Hitachi, Ltd. e outros.

Parcerias/Fusões/Aquisições

Em 2016, a Littelfuse adquiriu os diodos transitórios de supressão de tensão ("TVS") da ON Semiconductor Corporation, trocando os segmentos de transistores bipolares de tônus e de portão isolado por uma soma de US$ 104 milhões para expandir seu papel no mercado de transistores bipolares de portão isolado.

Investimentos/Financiamentos de P&D

A Toyota Central P&D Labs Inc., está em processo de desenvolvimento de um novo conceito de design para melhorar as características dos IGBTs. A Toyota Central P&D Labs Inc., mencionou que os novos IGBTs são fornecidos com o conceito do IGBT de field-stop que são eficazes na redução da tensão no estado.

Escopo de pesquisa de mercado do transistor bipolar do portão isolado:

O ano base do estudo é 2018, com previsão feita até 2025. O estudo apresenta uma análise minuciosa do cenário competitivo, levando em consideração as ações de mercado das principais empresas. Também fornece informações sobre embarques de unidades. Estes fornecem a chaveparticipantes do mercado com o necessário business intelligence e ajudá-los a entender o futuro do mercado IGBT. A avaliação inclui a previsão, uma visão geral da estrutura competitiva, as ações de mercado dos concorrentes, bem como as tendências de mercado, demandas de mercado, drivers de mercado, desafios de mercado e análise de produtos. Os motoristas de mercado e as restrições foram avaliados para entender seu impacto ao longo do período de previsão. Este relatório identifica ainda as principais oportunidades de crescimento, ao mesmo tempo em que detalha os principais desafios e possíveis ameaças. As principais áreas de foco incluem as aplicações específicas em eletrônica de consumo, unidades de motores industriais, inversores & UPS, e Automotivo, HVAC, Energia Renovável.

Principais Takeaways

A implementação de novas políticas, como o score de crédito na fabricação dos veículos elétricos e novas regulamentações governamentais para a redução do CO2, prevê-se para aumentar a produção do veículo elétrico, o que deverá aumentar o uso do IGBT, o que impactará o crescimento do mercado IGBT.

O crescente foco e os investimentos em P&D para o novo chip e módulo IGBT que ajudam a reduzir o consumo de energia, e melhorar a densidade do chip, a resistividade térmica e a eficiência fortaleceriam ainda mais a posição do mercado IGBT.

A APAC detém uma grande parte do mercado IGBT. O crescimento do mercado é que essa região é impulsionada pelo crescente número de startups que estão focadas na introdução de novas tecnologias que vão melhorar o desempenho da bateria dos EVs está impulsionando o mercado de IGBT.

Relatórios relacionados :

A. Mercado de Transistores de Alta Mobilidade Eletrônica

https://www.industryarc.com/Report/19294/high-electron-mobility-transistor-market.html

B. Mercado de Tecnologia de Montagem de Superfície

https://www.industryarc.com/Report/15454/surface-mount-technology-market.html

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